GIGABYTE下代P55系列行銷佈局
GA-EP55-UD4P工程樣本搶先預覽
文: John Lam / 新聞中心
全球通路主機板市場四成市佔， Intel 主流級平台成為了兵家必爭之地，各大 MB 廠商已經開始為即將於 9 月上市的新一代 Intel 平台主流級晶片組 P55 造勢，此次我們將分析 GIGABYTE 新一代 P55 主機板系列產品行銷佈局，並為讀者帶來 GA-EP55-UD4P 工程樣本預覽。
GIGABYTE 上週寄來一片 P55 主機板工程樣本，型號為 GA-EP55-UD4P ，讓香港讀者可以率先一睹 Intel 下一代效能級平台，採用 ATX Form Factor 設計，尺寸為 305mm x 244mm ， 4 Layers PCB 設計，晶片組採用 Intel P55 系統晶片，處理器接口為 LGA 1156 ，支援下一代 Intel Lynnfield 處理器 ( 暫定市場名稱為 Intel Core i5) 。雖然並不是最頂級型號，但規格仍然十分強勁， Ultra Durable 3 、 2oz Copper PCB 等技術當然少不了，連效能級型號也提升至 12 相位供電，為了提供更佳升級能力，主機板更規劃了加入 SATA 3 控制晶片，提供 4 組 SATA 6Gb/s 接口支援。
由於制程及晶片整合技術的進步，下一代 Intel Lynnfield 處理器已僅擁有運算單元，而是把北橋功能整合至處理器核心內，包括了記憶體控制器及 PCI-Express 控制器，新一代 P55 晶片已變成單晶片設計，主要機能僅為南橋作用，支援 14 個 USB 接口、 8 個 PCI-E x1 、 4 個 PCI 及 6 個 SATA 接口，與處理器之間的傳輸協定亦由 QPI 改為 DMI 。
以 Ultra-Durable 3 技術成行銷骨幹
分析 GIGABYTE GA-EP55 系列的市場佈局，仍會以高質素用料作號召，其招牌技術 Ultra Durable 3 仍會是產品的主要行銷骨幹，採用高階日系固態電容設計， 更針對主機板 CPU 周邊零組件做強化設計，採用高品質亞鐵塩芯電感 (Ferrite Choke) 及低電阻式電晶體 (Lower RDS(on) MOSFET) 等高階被動元件，使處理器能得到穩定的供電，並強化系統用電效率及降低運作溫度，從而提升主機板的超頻穩定性。
與上代 Ultra-Durable 2 的主要分別在於針對 Power 及 Ground Layer 部份，採用了 2oz 銅膜，其擁有三大好處，首先透過擁有比 1oz 銅膜一倍的導熱性的 2oz 銅膜，主機板上的整組件產生的熱量能迅速地把它分散於主機板 PCB 上，從而加快熱力傳導致空氣中。
其次由於 2oz 的銅膜將比 1oz 的銅膜有更低的電阻性，其低電阻性不單減少了廢熱的產生，同時亦減低因超頻時電壓提升而令到主機板線路超過銅模負荷，使其損壞或金屬疲勞的機會，讓主機板更穩定、更耐超。
最後一個好處是 2oz 銅膜更能讓傳送的訊號變得較為清晰乾淨，讓主機板超頻時所需要電壓也相對減少，用家在超頻時就可以採用較一般主機板為低的電壓，達到超頻放果，同時亦意味著超頻幅度可望更加提高。
供電模組的相位數目競賽
近年 GIGABYTE 與 ASUS 在高階主機板市場上掀起高規格用料大戰， ASUS 率先採用 16 相供電設計作招來， GIGABYTE 則以 2oz Copper PCB 迎戰，雙方各不相讓，為了不讓對手的相位數目比下去， GIGABYTE GA-EP55 系列完全豁出去，頂級型號 GA-EP55-UD5 將會由 12 相位供電升級至 24 相位供電，而效能級型號 GA-EP55- UD4P 、 GA-EP55-UD4 、 GA-EP55-UD3P 及 GA-EP55-UD3 將會由 6 相位供電提升至 12 相位供電。
相位供電模組設計上改良，有助供電穩定性、溫度熱量、耐用性均明顯改善，擴大終極超頻空間，當然 trade-off 就是成本上漲，不利與對手進行價格競爭。不過， GIGABYTE 在生產成本及採購成本上本來就較 ASUS 為高，價格戰本來就不利 GIGABYTE ，以高規格避開價格戰絕對是明智的選擇， ASUS 會否繼續供電相位競賽亦成為市場點所在。
全線支援 SATA 6Gb/s 、週邊功能再提升
GIGABYTE 主機板一向以功能作為賣點， GA-EP55 系列加入了 Smart 6 PC 系列管理介面，提供了 Smart Dual BIOS 管理、 Smart QuickBoot 加速開機、 Smart QuickBoost 自動超頻、 Smart Recovery 系統還原、 Smart Recorder 系統監察及 Smart TimeLock 系統功能限制，當 GA-EP55 系列推出時再詳細介紹。
GA-EP55 系列繼續加入 Dynamic Energy Saver 2 節能技術，由於 GIGABYTE 的相位是採用 2 相串聯的 Virual Phase 設計，因此頂級版本 GA-EP55-UP5 將支援 12 檔位節能， GA-EP55-UP4D 則支援 6 檔位節能。
GA-EP55 系列強化了 Smart TPM 及 Smart Dual Lan 功能，前者是 2048Bit 硬體金鑰加密技術，可為用家提供高規格的資料保密技術，上代支援把金鑰存放在 USB Drive 作為認証方法之一，今代加入了 Bluetooth Cellphone 加密技術，存取資源可以採用手機的 Bluetooth 作認証。
Smart Dual Lan 除了支援 Teaming 技術令頻寬提升至 2Gbps 外，更支援 Failover 技術，當其中一組 Lan Chip 發生錯誤，用家不用插拔下系統會自動跳至 Lan Chip 2 。
下一代 GA-EP55 全線系列中加入 SATA 3.0 規格支援，採用 Mavell 推出的 SATA 3.0 晶片， GA-EP55-UD5 、 GA-EP55-UD4P 及 GA-EP55-UD4 則提供四組 SATA 3.0 接口，其餘則提則兩組 SATA 3.0 接口，最高頻寬達 6Gb/s ，為未來過渡至 SATA 3.0 世代作好準備。
GIGABYTE GA-EP55-UP4D 預覽
GIGABYTE GA-EP55-UD4P Rev 0.1 版本工程樣本
( 左 ) Intel P55 系列單晶片 ( 右 ) Intel LGA 1156 處理器接口
( 左 ) 非頂級型號亦升級至 12 相位供 ( 右 ) Brianwood 模組接口，但 P55 並不支援，僅為測試用途
( 左 ) 支援雙 PCI-E 繪圖接口及 PCI-E x4 接口 ( 右 ) 支援 DES 節能技術
( 左 ) 支援 6 組 SATA 2 及 4 組 SATA 3 接口 ( 右 ) 工程樣本焊空了 Mavell SATA 3 晶片