Intel化合物半導體研究取得裏程碑式突破 , 永遠一哥
Intel今天宣布在化合物半導體晶體管的研究中取得了裏程碑式的重大突破，通過集成高K柵極獲得了更快的晶體管切換速度，消耗能量卻更少。
Intel一直在研究將現在普遍適用的晶體管矽通道替換成某種化合物半導體材料，比如砷化镓铟(InGaAs)。目前，此類晶體管使用的是沒有柵極介質的肖特基柵極(Schottky gate)，柵極漏電現象非常嚴重。
Intel現在為這種所謂的量子阱場效應晶體管(QWFET)加入了一個高K柵極介質，並且已經在矽晶圓基片上制造了一個原型設備，證明新技術可以和現有矽制造工藝相結合。
試驗證實，短通道設備加入高K柵極介質後的柵極漏電電流減少到了只有原來的千分之一，同時電氧化物的厚度也減少了33％，從而可以獲得更快的切換速度，最終能夠大大改善芯片性能。
如果你對其中的技術細節感興趣，可以參考Intel研發副總裁、化合物半導體研究項目主管Miky Mayberry的博文。
QWFET(右)與MOS晶體管簡單對比
柵極漏電電流與勢壘厚度(肖特基柵極和量子阱之間的距離)關系圖
電子顯微鏡照片：40nm柵極寬寬度的銻化铟(InSb)p通道壓應變QWFET
全部都是深奥的东西。。。
不明白。。。。